AMMP-6442
37- 40千兆赫， 1W线性功率放大器
在SMT封装
数据表
描述
该AMMP - 6442 MMIC是一个1W的线性功率放大器
表面贴装型封装设计用于和Transmit
即在37GHz之间的频率运行TER值
40GHz的。在操作频带，它提供了30dBm的
输出功率（ P- 1分贝）和小信号增益23分贝。这
PA也被设计用于高线性应用与典型
36dBm的OIP3性能在SCL为18dBm输出。
特点
的5x5mm表面贴装封装
1瓦特输出功率
50
Ω
匹配输入和输出
ESD保护（ 50V MM和250V HBM ）
典型性能（ VDD = 5V ， ID（ Q） = 0.7A ）
频率范围37至40千兆赫
23分贝的小信号增益（典型值）。
输出功率@ P-1的为30dBm （典型值）。
输入和输出回波损耗-8dB
35dBm的@宝= 18dBm的OIP3的（SCL ）
应用
点至点无线电系统
毫米波通信
包图
Vd1
1
Vd2
2
Vd3
3
功能框图
1
2
3
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
Vd1
Vd2
Vd3
RF OUT
Vd3
Vg2
Vg1
在RF
在RF
8
GND
4
RF OUT
8
7
Vg1
6
Vg2
5
Vd3
4
注意：
1.本MMIC采用耗尽型pHEMT器件。
负电源用于直流偏置门。
7
6
5
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类） ： 50V
ESD人体模型（ 1A级） ： 250V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
注： MSL等级= 2A级
电气规格
1.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式TA = 25℃时测得的数据。
2.预组装成组件的性能晶圆上每AMMC - 6442已出版的规格验证100 ％ 。
3.这最终包装的一部分的性能是通过一个功能测试相关的实际性能的一个或多个验证
频率。
4，规格从测量一个50 Ω的测试环境中得来。在放大器性能的各方面可
通过应用程序的附加共轭，线性，低噪声过一个更窄的带宽得到改善（ Гopt ）
匹配。
5.增益和P1dB为在37GHz和40GHz的测试，以保证测量精度+/- 1.5分贝增益和+/-
1.6分贝进行的P1dB 。
表1. RF电气特性
TA = 25 ℃， VDD = 5.0V ， IDQ = 0.7V ， V G = -1V ，Z0 = 50 Ω
参数
工作频率，频率
小信号增益，增益
在1分贝增益压缩， P- 1dB输出功率
相对三阶互调电平（ ΔF = 10MHz时，宝= + 12dBm时， SCL ） ， IM3
输入回波损耗， RLIN
输出回波损耗， RLout
反向隔离，隔离
民
37
20
28
典型值。
23
30
36
8
8
45
最大
40
单位
GHz的
dB
DBM
dBc的
dB
dB
dB
表2.推荐工作范围
1.环境工作温度TA = 25 ℃，除非另有说明。
2.通道到背面热阻（ Tchannel （TC ） = 34 ℃）使用红外显微镜测量。热
阻力位在背面温度（ TB）=从测量数据计算25 ℃。
描述
漏极供电电流， IDQ
门电源工作电压， Vg的
-1.3
分钟。
典型
700
-1
马克斯。
-0.7
单位
mA
V
评论
VDD = 5V ， Vg的集IDQ典型
Idq=700mA
2
表3.热性能
参数
通道温度，总胆固醇
热阻
[1]
（通道到基础板），
QCH -BS
环境工作温度TA = 25°C
通道到背面热阻Tchannel （TC ） = 34 ℃，
在背面温度Tb热阻= 25°C
测试条件
价值
TCH = 150℃
q
JC
= 17 ° C / W
注意：
1.假设AnPb焊接至评估射频模块在90.5 ℃的基板温度。
绝对最低和最高等级
表4.最小和最大额定值
[1]
说明引脚
漏极供电电压， Vd的
[2]
门电源电压， Vg的
功耗PD
[2,3]
CW输入电源，引脚
[2]
通道温度
[4,5]
储存温度
最高温度大会
-65
-2
分钟。
马克斯。
5.5
0
6
20
+150
+155
+260
单位
V
评论
DBM
°C
°C
°C
CW
第二个最多30个
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
电源电压2.组合，漏电流，输入功率和输出功率不得超过PD 。
3.这些等级适用于每一个人FET
4.工作通道温度将直接影响设备平均无故障时间。为了获得最大的寿命，所以建议的结温是
保持在尽可能低的水平。
3
典型性能
（数据从一个2.4毫米连接器基于测试夹具获得，并且包括连接器和
电路板损耗。连接器和板损耗大约0.75分贝在输入和输出端口对的近似总
的1.5分贝。 ）
(T
A
= 25 ° C，V
dd
= 5V ，我
D（ Q）
= 0.7 A，V
g
= -1 V，Z
in
= Z
OUT
= 50
Ω)
30
25
20
S21[dB]
15
10
5
0
30
32
34
36
38 40 42 44
频率[ GHz的]
46
48
50
S21[dB]
S12[dB]
-30
-35
回波损耗（分贝）
-40
S12 （分贝）
-45
-50
-55
-60
0
-5
-10
-15
-20
-25
S11[dB]
S22[dB]
30
32
34
36
38 40 42
频率[ GHz的]
44
46
48
50
图1.典型增益和反向隔离
图2.典型的回波损耗（输入和输出）
35
增益（分贝） ，P-1 [ dBm的] ， PAE （％）
30
10
8
噪声（分贝）
37
38
频率[ GHz的]
39
40
6
4
2
0
25
20
15
10
5
0
35
P-1
PAE@P-1
P-3
PAE@P-3
36
35
37
39
41
频率[ GHz的]
43
45
图3.典型的输出功率（P -1和P -3）与频率的关系
图4.典型噪声系数
0
-10
相对IM3级[ dBc的]
-20
-30
-40
-50
-60
-70
35
宝[ dBm的] ，而且， PAE [ ％ ]
SCL=10[dBm]
SCL=15[dBm]
SCL=18.5[dBm]
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
的Pout （ dBm的）
PAE [％]
ID（总）
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
IDS [马]
36
37
38
频率[ GHz的]
39
40
-15
-10
-5
0
销[ dBm的]
5
10
15
图5.典型的三阶互调产物电平与频率
不同的单载波的输出电平（SCL）
图6.典型输出功率， PAE ，总漏电流与输入
功率38GHz
4
在典型的温度依存性
(T
A
= 25 ° C，V
dd
= 5V ，我
dq
= 0.7 A，V
g
= -1 V，Z
in
= Z
OUT
= 50
Ω)
0
-5
S11[dB]
-10
-15
-20
S11_25
S11_-40
S11_85
20
25
30
35
40
频率[ GHz的]
45
50
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
S21_25
S21_-40
S21_85
S21[dB]
20
25
30
35
40
频率[ GHz的]
45
50
图7.典型的S11超温
图8.典型的增益随温度
0
-5
-10
-15
-20
S22_25
S22_-40
S22_85
20
25
30
35
40
频率[ GHz的]
45
50
P-1 [ dBm的]
S22[dB]
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
P-1_-40deg
P-1_25deg
P-1_85deg
34
35
36
37
38
39
频率[ GHz的]
40
41
42
图9.典型的S22超温
图10.典型的P1超温
20
15
K_factor
10
5
0
20
OIP3 [ dBm的]
30
25
20
15
10
5
0
OIP3(-40C)
OIP3(85C)
IM3(25C)
OIP3(25C)
IM3(-40C)
IM3(85C)
-25
-30
-35
-40
-45
-50
40
41
42
-55
25
30
35
40
频率（GHz ）
45
50
34
35
36
37
38
39
频率[ GHz的]
图11.典型的K因子随温度
过温图12.典型的IM3水平宝= 18dBm的， SCL
5
IM3级[ dBc的]
K（ ） Meas_25C
K（ ） Meas_85C
K（ ） Meas_n40C
45
40
35
-10
-15
-20
QQ：2881677436 复制
